Samsung стартует производство микросхем DRAM 18 нм

Со ссылкой на неназванные источники южнокорейское издание Electronic Times сообщило, что уже в следующем году компания Samsung Electronics начнет массовое производство микросхем оперативной памяти по новому 18-нанометровому техпроцессу 1X-nano.

Samsung DRAM

В компании Samsung рассчитывают, что этот шаг позволит сократить издержки производства и повысить рентабельность в условиях общего снижения цен на оперативную память. По прогнозам отраслевых экспертов, тенденция к снижению цен будет сохраняться на протяжении всего 2016 года.

По информации источника, компания Samsung завершила разработку чипов 1X-nano и планирует начать массовое производство такой продукции уже в первом квартале 2016 года. К слову, ожидается, что Samsung одной из первых освоит новые производственные процессы. Компании SK Hynix и Micron последуют примеру Samsung. При этом сообщается, что последняя испытывает некоторые производственные трудности с новой технологией, которые могут обернуться для компании большими финансовыми потерями.

Рыночные эксперты оценивают отставание производственных технологий Micron от таковых у Samsung Electronics на одно-два поколения продуктов. Якобы размеры кристаллов DRAM от Micron, выпущенных на нормам техпроцесса 20-нм, больше по сравнению с 20-нм кристаллами DRAM, которые выпускают Samsung Electronics и SK Hynix. Строго говоря, 20-нм микросхемы DRAM от Micron находятся примерно на том же уровне, что 25-нм микросхемы DRAM от Samsung.

Стоит отметить, что в 2014 году Samsung первой начала выпускать память по нормам 20 нм, что позволило ей увеличить свою долю на рынке и выручку на фоне постоянного снижения цен на память DRAM. По данным аналитической компании DRAM Exchange, контрактная стоимость кристаллов DDR3 объемом 4 Гбит за период с января по ноябрь снизилась на 49,1% – до $1,72.

©itc

Последние записи

Комментариев нет.

Добавить свой комментарий